Имитаторы электростатического разряда HBM / MM для тестирования ИС

ESD-883D Симуляторы электростатического разряда HBM/MM для тестирования микросхем — это высокоточные устройства для тестирования устойчивости к электростатическому разряду, специально разработанные LISUN для полупроводниковых компонентов (таких как микросхемы, диоды, транзисторы и модули ИС). Функция заключается в моделировании двух распространенных моделей электростатического разряда, встречающихся в процессах производства, транспортировки и сборки полупроводников: модели человеческого тела (HBM) и модели машины (MM). Благодаря стандартизированной инжекции высоковольтных импульсов, система оценивает предел устойчивости полупроводниковых компонентов к электростатическим ударам, заблаговременно выявляет потенциальные неисправности (например, пробой затвора и повреждение PN-перехода), вызванные статическим электричеством, и обеспечивает критическую основу для тестирования надежности конструкции и заводского контроля качества полупроводниковых компонентов. Благодаря модульной схемотехнической конструкции, система поддерживает переключение между режимами тестирования HBM и MM одним щелчком мыши. Система оснащена высокоточной системой обратной связи по напряжению, гарантирующей погрешность напряжения разряда ≤ ±3%. Кроме того, она имеет встроенный пыленепроницаемый и антикоррозионный корпус, который соответствует строгим экологическим требованиям чистых помещений для полупроводников (класс 1000).

ESD-883D Симуляторы HBM/MM ESD оснащены большим сенсорным экраном Android с поддержкой китайского и английского языков. Они позволяют предварительно задавать параметры испытаний (например, стандартные уровни HBM 2 кВ/4 кВ/8 кВ) и совместимы с LISUNРазработанные компанией испытательные стенды для полупроводников (например, для корпусов TO и SMD-кристаллов). Устройство можно адаптировать к полупроводниковым компонентам с различными типами корпусов, включая DIP, SOP и QFP, что устраняет необходимость в частой замене стенда. Будь то проверка надежности кристаллов в компаниях-разработчиках полупроводников, заводской контроль качества на упаковочных заводах или сертификация соответствия в сторонних лабораториях, это устройство обеспечивает стабильную и точную испытательную среду, помогая полупроводниковым изделиям соответствовать международным стандартам защиты от электростатического разряда.

Технические характеристики:

Примечание: ESD-883D может делить хост с ESD-CDM Режим заряженного устройства (CDM) Тестирование ESD для ИС для одновременного тестирования HBM, MM и CDM (LISUN модель: ESD-883D/ESD-CDM)

Приложения:
1. Проектирование и НИОКР полупроводников
• Проверка надёжности микросхем: для микроконтроллеров, микросхем управления питанием, радиочастотных микросхем и других устройств, разрабатываемых компаниями-разработчиками микросхем, проводятся испытания методом HBM (например, стандартные уровни 1 кВ/2 кВ/4 кВ) для имитации электростатического разряда при контакте с микросхемой человеческого тела. Испытания методом MM (например, 0.5 кВ/1 кВ) используются для имитации электростатического разряда при контакте с микросхемой автоматизированного оборудования (например, монтажных установок и зондовых станций). Это позволяет проверить электростатическое сопротивление оксидного слоя затвора и PN-перехода микросхемы, оптимизировать конструкцию электростатической защиты микросхемы (например, добавить диоды защиты от электростатического разряда) и предотвратить выход микросхемы из строя из-за недостаточной электростатической защиты на этапе НИОКР.
• Испытание новых материалов на электростатическую восприимчивость: испытания HBM/MM проводятся на новых полупроводниковых материалах (таких как широкозонные полупроводниковые SiC и GaN-приборы) для определения уровней электростатической восприимчивости (например, класс 000, класс 00). Это обеспечивает надежную поддержку применения новых материалов в высокочастотных и высоковольтных микросхемах.

2. Область корпусирования и производства полупроводников
• Контроль качества после упаковки: на заводах по упаковке полупроводников (например, после процессов DIP, SOP и QFP) проводятся выборочные испытания HBM/MM для упакованных устройств каждой партии. Благодаря использованию функции быстрого двухрежимного переключения ESD-883DИспытания позволяют выявить, привели ли такие проблемы, как ненадёжное соединение проводов или повреждение упаковочного коллоида в процессе упаковки, к снижению электростатической восприимчивости устройств. Это гарантирует соответствие устройств требованиям стандартов JEDEC JESD22-A114F/A115-A.

3. Автомобильная электроника, полупроводниковая отрасль
• Испытания автомобильных микросхем на электростатический разряд: для автомобильных микроконтроллеров и микросхем датчиков (например, микросхем радаров миллиметрового диапазона и микросхем ISP камер) в соответствии с требованиями «Испытания на восприимчивость к электростатическому разряду», установленными в стандарте AEC-Q100 (Стандарт надежности автомобильных электронных компонентов), проводятся испытания HBM 8 кВ и MM 2 кВ. Эти испытания имитируют электростатические разряды во время сборки автомобиля (например, ручное подключение/отключение разъёмов, автоматизированная сборка), обеспечивая надёжную электростатическую стойкость микросхем в автомобильной среде и предотвращая сбои в работе автомобильных систем, вызванные статическим электричеством (например, отключение приборной панели и ложные срабатывания сигналов тревоги в системах автономного вождения).
• Тестирование модулей IGBT: испытания HBM/MM проводятся на микросхемах драйверов затворов модулей IGBT для автомобилей на новых источниках энергии. Эти испытания проверяют электростатическую устойчивость цепи затвора, предотвращая неправильное включение IGBT или пробой затвора, вызванный статическим электричеством, и обеспечивая безопасную и стабильную работу системы питания автомобилей на новых источниках энергии.

4. Военная и высоконадежная полупроводниковая отрасль
• Испытания военных микросхем: В соответствии с методом 3015 GJB 548B-2020 и методом 3015 MIL-STD-883 проводятся строгие испытания HBM/MM (например, HBM 8 кВ, MM 5 кВ) на военных коммуникационных, радарных и навигационных микросхемах. Эти испытания имитируют электростатические воздействия при транспортировке военной продукции (например, вибрацию и трение в ящиках с боеприпасами) и использовании на поле боя (например, статическое электричество, накапливающееся на теле человека в сухой среде), гарантируя электростатическую стойкость микросхем в экстремальных условиях и обеспечивая эксплуатационную надежность военной техники.
• Испытание полупроводников в аэрокосмической промышленности: для полупроводниковых приборов в аэрокосмической промышленности (например, микросхем спутниковой навигации и микросхем управления питанием космических аппаратов) с использованием широкого диапазона температур (0 ℃ ~ 40 ℃) ESD-883DИспытания HBM/MM проводятся в условиях, имитирующих условия кабины космического корабля. Эти испытания проверяют электростатическую восприимчивость устройств в условиях космического вакуума и низких температур, предотвращая сбои в работе космического корабля, вызванные космическим электростатическим разрядом.

5. Сфера стороннего тестирования и сертификации
• Сертификационные испытания на соответствие: сторонние испытательные организации, такие как SGS, CQC и TÜV, используют ESD-883D В соответствии с международными стандартами, включая IEC 60749-26/27 и JEDEC JESD22-A114F/A115-A, компания предоставляет отчёты об испытаниях на электростатическую восприимчивость HBM/MM для предприятий, производящих полупроводники. Это помогает продукции предприятий получать сертификаты CE (ЕС), UL (США) и CCC (Китай), открывая им доступ на мировые рынки.
• Проверка соответствия стандартам: для аккредитации квалификации лабораторий по испытанию полупроводников (например, сертификация CNAS) ESD-883D Может служить стандартным испытательным устройством. Благодаря регулярной калибровке (в соответствии с требованиями ISO 17025) обеспечивается прослеживаемость данных испытаний, что помогает лабораториям проходить квалификационные аудиты и получать право выдавать авторитетные отчеты об испытаниях.

6. Сфера полупроводников бытовой электроники
• Тестирование микросхем потребительского уровня: для полупроводниковых устройств потребительской электроники, таких как SoC мобильных телефонов, чипы Bluetooth-наушников и микроконтроллеры для умного дома, проводятся испытания HBM (2–4 кВ) и испытания MM (0.5–1 кВ). Эти испытания имитируют электростатические разряды при использовании потребителем (например, подключение/отключение зарядного устройства мобильного телефона, ношение наушников), гарантируя соответствие устройств стандартам электростатической защиты для потребительской электроники и предотвращая такие проблемы, как поломки устройств или сокращение срока службы аккумуляторов, вызванные статическим электричеством.
• Тестирование полупроводниковых компонентов: испытания HBM/MM проводятся для полупроводниковых компонентов бытовой электроники (например, модулей камер и компонентов микросхем драйверов дисплеев). Эти испытания проверяют электростатическую стойкость нескольких микросхем, работающих совместно в составе компонента, предотвращая повреждение всего компонента из-за электростатического отказа одной микросхемы и снижая процент послепродажных отказов потребительской электроники.